產(chǎn)品分類
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簡要描述:日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針細(xì)間距(0.15~0.25mm間距)應(yīng)用中扮演著關(guān)鍵角色.主要用于高密度互連測(cè)試(如晶圓測(cè)試、芯片測(cè)試、PCB測(cè)試等)彈簧探針內(nèi)置于 IC 插座中,作為將被測(cè)設(shè)備垂直連接到電路板的電路。實(shí)現(xiàn)了低阻力、高耐久性。
深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針細(xì)間距0.15mm~0.25mm產(chǎn)品特點(diǎn)如下:
日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針細(xì)間距0.15mm~0.25mm應(yīng)用中扮演著關(guān)鍵角色.
主要用于高密度互連測(cè)試(如晶圓測(cè)試、芯片測(cè)試、PCB測(cè)試等)
又稱雙頭探針或接觸探針,內(nèi)置彈簧,用于半導(dǎo)體器件制造的檢測(cè)工序。彈簧探針內(nèi)置于 IC 插座中,作為將被測(cè)設(shè)備垂直連接到電路板的電路。實(shí)現(xiàn)了低阻力、高耐久性。其中,“MARATHON"系列是半導(dǎo)體器件檢測(cè)用彈簧探針的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品陣容。
1. 技術(shù)特點(diǎn)
超細(xì)間距設(shè)計(jì)
支持 0.15~0.25mm 的極窄間距,適應(yīng)先進(jìn)封裝(如Fan-out、2.5D/3D IC)和微縮化芯片的測(cè)試需求。
探針直徑可做到 0.05~0.1mm,通過精密加工(如激光切割、電鍍)確保尺寸一致性。
高可靠性與耐久性
采用 鈹銅、鈀合金 等材料,表面鍍金處理,降低接觸電阻(通常<100mΩ),抗磨損壽命可達(dá) 10萬~50萬次 循環(huán)。
彈性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(如雙彈簧或多段式彈簧)提供穩(wěn)定接觸力(1~30g力/針),避免損傷焊盤或凸塊(Bump)。
低電流與高頻性能
支持 微小電流 測(cè)試,適用于低功耗芯片(如IoT、傳感器)。
高頻探針設(shè)計(jì)(帶寬可達(dá) 10GHz+),滿足射頻(RF)和高速數(shù)字信號(hào)(如DDR5、PCIe)測(cè)試需求。
多樣化頭型適配
尖頭(Point Tip):用于微小焊盤或凸塊穿刺。
冠狀頭(Crown Tip):分散壓力,保護(hù)脆性材料。
扁平頭(Flat Tip):適合大面積接觸(如TSV測(cè)試)。
2. 典型應(yīng)用場(chǎng)景
晶圓級(jí)測(cè)試(Wafer Probing)
在未切割晶圓上直接測(cè)試裸片(Die),篩選良品,間距需匹配微凸塊(μBump)或銅柱(Cu Pillar)陣列。
封裝測(cè)試(Final Test)
檢查封裝后芯片的電性能,如BGA、CSP封裝引腳的高密度測(cè)試。
PCB與載板測(cè)試
用于HDI板、載板(Substrate)的導(dǎo)通性、短路/開路測(cè)試,尤其是AI加速卡、5G模塊等產(chǎn)品。
先進(jìn)封裝技術(shù)
2.5D/3D IC的硅通孔(TSV)互連測(cè)試、Chiplet多芯片集成系統(tǒng)的界面驗(yàn)證。
3. 市場(chǎng)趨勢(shì)
更小間距需求:隨著3nm/2nm制程和先進(jìn)封裝普及,0.1mm以下間距探針研發(fā)加速。
多物理場(chǎng)測(cè)試:集成溫度、高頻、電流測(cè)試于一體的復(fù)合探針。
自動(dòng)化集成:與AI驅(qū)動(dòng)的測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合,實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析與自適應(yīng)調(diào)整。
公司代理和銷售優(yōu)勢(shì)品牌明細(xì)